型号:
HY57V281620ETP-H
数量:
45216
厂商:
HYNIX
批号:
最新批次
封装:
TSOP54
货期:
3-10个工作日

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H5TQ2G63DFR-TEC  
H9TKNNN2GDMPLR-NDM 
H5TQ2G63DFR-H9C  
H9TKNNN1GDAPLR-NYM 
H5TQ1G83EFR-RDC 
H5TQ4G83MFR-PBC 
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H5PS1G63JFR-G7C  
H5TC2G83FFR-PBC  
H5MS5162FFR-E3M  
H5TC2G83DFR-RDC 
H5MS5162DFR-J3M 
H5TC2G83DFR-G7C
H5TC2G83DFR-G7C 
H5MS5132FFR-E3M 
H5DU2562GFR-K3C  
H5MS2562NFR-E3M
H5MS2532NFR-J3M  
H57V2622GMR-75C
H5MS2532JFR-E3M
H57V2582GTR-60C

    继韩国海力士十二英寸封装测试项目落户无锡,其在无锡的销售中心日前也正式签约。海力士无锡工厂新任董事权五哲日前透露,十二英寸后工序项目明年初将建设完毕,届时,该集团将真正实现在无锡的一体化生产,成为中国最大的半导体生产基地。

    海力士半导体是世界第二大DRAM制造商,也在全球半导体公司中名列前茅。无锡工厂是其在海外唯一的生产基地,承担了韩国总部百分之五十的DRAM生产量,占全世界DRAM市场的百分之十。

    权五哲称,金融危机下,国际内存需求量逆势上升,该公司目前内存价格较年初已上涨二倍。明年实现基地化生产后,无锡工厂的产能及效率将随之提速,其产品在中国的价格优势也将进一步扩大。

    据了解,随着内存行情看好,除扩大产量外,海力士还计划通过工序转换,扩大DDR3产品的生产量,计划今后五十四纳米产品比例可升至百分之四十以上。


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