型号:
HY57V641620ETP-H
数量:
45216
厂商:
HYNIX
批号:
最新批次
封装:
TSSOP-54
货期:
3-10个工作日

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H5TQ2G63DFR-TEC  
H9TKNNN2GDMPLR-NDM 
H5TQ2G63DFR-H9C  
H9TKNNN1GDAPLR-NYM 
H5TQ1G83EFR-RDC 
H5TQ4G83MFR-PBC 
H5TQ1G83EFR-G7C  
H5PS1G63JFR-G7C  
H5TC2G83FFR-PBC  
H5MS5162FFR-E3M  
H5TC2G83DFR-RDC 
H5MS5162DFR-J3M 
H5TC2G83DFR-G7C
H5TC2G83DFR-G7C 
H5MS5132FFR-E3M 
H5DU2562GFR-K3C  
H5MS2562NFR-E3M
H5MS2532NFR-J3M  
H57V2622GMR-75C
H5MS2532JFR-E3M
H57V2582GTR-60C

    韩国海力士(Hynix)半导体三星(Samsung)电子各自都在加紧努力,开发每单元三位(3-bit-per-cell)的N闪存。据《Chosun Ilbo》报道,海力士在6月4日开发出了一款采用3-bit-per-cell技术的32GB N闪存。

    Lazard Capital Markets的分析师Daniel Amir在最近发表的一份报告中表示:“我们听说三星将在2008年末开始生产3-bit per cell N时感到很意外。”

    “直到现在,该技术一直只有Sisk与东芝(Toshiba)拥有,”他说,“但是,三星试图生产3-bit per cell N,给Sisk对于该技术的IP构成挑战。虽然我们不知道未来情形如何变化,但我们认为这可能对Sisk不利。


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