型号:
HY57V561620CTP-H
数量:
45216
厂商:
HYNIX
批号:
最新批次
封装:
TSSOP
货期:
3-10个工作日

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详细信息
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H5TQ2G63DFR-TEC  
H9TKNNN2GDMPLR-NDM 
H5TQ2G63DFR-H9C  
H9TKNNN1GDAPLR-NYM 
H5TQ1G83EFR-RDC 
H5TQ4G83MFR-PBC 
H5TQ1G83EFR-G7C  
H5PS1G63JFR-G7C  
H5TC2G83FFR-PBC  
H5MS5162FFR-E3M  
H5TC2G83DFR-RDC 
H5MS5162DFR-J3M 
H5TC2G83DFR-G7C
H5TC2G83DFR-G7C 
H5MS5132FFR-E3M 
H5DU2562GFR-K3C  
H5MS2562NFR-E3M
H5MS2532NFR-J3M  
H57V2622GMR-75C
H5MS2532JFR-E3M
H57V2582GTR-60C

    日前,瑞士Numonyx BV表示计划把DRAM生产从现有供应商转移给海力士(Hynix Semiconductor)公司和茂德(ProMOS Technologies Inc.)。该行动是公司策略的一部分,将多技术多层内存子系统打入嵌入式设备和无线手机领域。

    Numonyx首席技术官Ed Doller表示,对于任何进入嵌入式闪存市场的供应商来说,具备增加各类RAM的能力至关重要,可以通过内存晶圆代工厂商或者与一家主要DRAM公司建立合作关系。

    一直以来,DRAM和闪存制造商之间都在抢夺主要的手机厂商客户,通常当IDM能制造两种内存类型时可以获得优势。Doller表示,“RAM存储策略非常需要,经常的选择来自NOR-RAM堆栈和NAND-RAM堆栈。竞争的唯一方式是在市场价格之下获得RAM。”

    Doller补充,Numonyx与Hynix在中国无锡建有合资企业,同时生产DRAM和NAND闪存。

    Doller说,Numonyx也继承其母公司意法半导体的独家DRAM设计。“意法设计低密度pseudo-static RAM和同步DRAM。我们将采用茂德代工制造。”他补充到,“我们计划把RAM迁移到Hynix和茂德。”但是Doller拒绝披露生产将转移到何处。


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