型号:
HY57V161610FTP-7
数量:
1870
厂商:
HYNIX
批号:
最新批次
封装:
TSSOP
货期:
3-10个工作日

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详细信息
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H5TQ2G63DFR-TEC  
H9TKNNN2GDMPLR-NDM 
H5TQ2G63DFR-H9C  
H9TKNNN1GDAPLR-NYM 
H5TQ1G83EFR-RDC 
H5TQ4G83MFR-PBC 
H5TQ1G83EFR-G7C  
H5PS1G63JFR-G7C  
H5TC2G83FFR-PBC  
H5MS5162FFR-E3M  
H5TC2G83DFR-RDC 
H5MS5162DFR-J3M 
H5TC2G83DFR-G7C
H5TC2G83DFR-G7C 
H5MS5132FFR-E3M 
H5DU2562GFR-K3C  
H5MS2562NFR-E3M
H5MS2532NFR-J3M  
H57V2622GMR-75C
H5MS2532JFR-E3M
H57V2582GTR-60C

器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置,相较26纳米存储器,晶圆(wafer)产出量提高约25%。

海力士社长权五哲表示,自2010年8月投入量产的26纳米64Gb NAND Flash目前出货相当顺利。2011年中计划量产20纳米制程产品。海力士持续引领DRAM产品制程微缩趋势,然而NAND Flash产品技术方面在过去1、2年落后其它竞争业者,但开始量产26纳米NAND Flash之后,相信技术方面与其它先驱企业间的差距已大幅缩减。

海力士在30纳米制程NAND Flash开发及量产上虽然较其它竞争公司晚了近6个月,但推出26纳米产品后则将差距缩减至1季。外界也期待海力士是否能与其它竞争公司在相近的时期中推出20纳米产品。

海力士2010年第2季末32纳米以下NAND Flash产品比重约占整体产品30%,8月量产26纳米产品后,第3季末产品比重已超越50%。第4季则将可望达到70%。

海力士2007年NAND Flash产品占有率约19%,其后市场萎缩,接连关闭NAND Flash主要产线8寸厂,2010年第1季时市占率已下滑至个位数。

以12寸厂为基准,三星电子(Samsung Electronics)每月产量30万片、日厂东芝(Toshiba)每月产量24万片,海力士目前每月产量仅7万片。海力士计划年底前将产能扩大至8 万片,但权五哲对于扩大NAND Flash投资方面则慎重表示,将会综合考量市场条件和竞争力等因素后,再进行投资。2011年投资金额目前尚未底定。

海力士2010年包含将DRAM生产设备转换为NAND生产设备等,在NAND Flash领域约投资1兆韩元(约8.96亿美元)。


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